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高低溫電壓擊穿試驗(yàn)儀測(cè)試流程

更新時(shí)間:2022-08-25      點(diǎn)擊次數(shù):1191

1 試驗(yàn)


1.1 試驗(yàn)設(shè)備


為了測(cè)量低溫條件下硅橡膠絕緣材料的直流擊穿電壓,采用設(shè)備ZJC-50kv直流擊穿電壓測(cè)試儀。



北京中航時(shí)代儀器設(shè)備有限公司 ZJC-50kv

中航時(shí)代50kv (28).jpg



1.2 試驗(yàn)電極


根據(jù)電極設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)了不銹鋼球——球電 極與棒——板電極。電壓電極的尺寸分別為直徑 為 20 mm 的球電極與直徑 25 mm、高 25 mm 的柱電 極;低壓電極的尺寸直徑為 20 mm 的球電極與直徑 為75 mm,高為15 mm的圓盤(pán)電極。


1.3 直流擊穿電壓測(cè)試


1.3.1 樣品預(yù)處理


由于硅橡膠材料表面容易吸附雜質(zhì),如灰塵 等,容易污染二甲基硅油介質(zhì)使試驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生偏 差,因此在試驗(yàn)開(kāi)始前需要對(duì)試樣表面進(jìn)行清潔預(yù) 處理。用無(wú)水乙醇和去離子水清理表面污穢后將 試樣置于干燥箱中,在試樣*干燥后,將其放置 于所設(shè)置的低溫環(huán)境下96 h,同樣的,需要對(duì)電極進(jìn) 行相應(yīng)的清潔預(yù)處理。



1.3.2 直流擊穿電壓測(cè)試


在試驗(yàn)前,將清潔的試樣置于高低壓球球電極與棒板之間,保證試樣與電極之間的良好接觸。在 直流體擊穿試驗(yàn)中,沿面閃絡(luò)會(huì)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生影 響,因此將整個(gè)試驗(yàn)電極平臺(tái)放置于二甲基硅油 中,以保證試驗(yàn)順利進(jìn)行。將常溫和低溫測(cè)試室的 溫度分別設(shè)置為20、0、-20、-40、-60 ℃,待溫度傳感 器顯示所需硅油溫度并達(dá)到穩(wěn)定后,通過(guò) ZD-200 直流發(fā)生器分別施加正負(fù)極性直流電壓,采用快速 均勻升壓法,設(shè)置參數(shù)從零均勻升高電壓,直到達(dá) 到擊穿的最大值,并對(duì)試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行記錄。擊穿后 會(huì)在試樣表面留下明顯的燒灼通道,見(jiàn)圖 1。根據(jù) 標(biāo)準(zhǔn),測(cè)試了3 種不同的氫氧化鋁含量的硅橡膠在 低溫下的正負(fù)極性直流擊穿強(qiáng)度,利用箱線圖剔除 異常數(shù)據(jù)后取 5 次有效測(cè)試結(jié)果的均值,獲得了硅 橡膠樣品在測(cè)試溫度范圍內(nèi) DC 擊穿強(qiáng)度的變化規(guī)律,得到了有意義的結(jié)論。



2 結(jié)果與討論


按照上述試驗(yàn)方案,分別測(cè)定了不同電極形式、 不同極性電壓條件下,不同Al(OH)3相對(duì)含量硅橡膠 試樣的直流擊穿電壓。為了判斷所得數(shù)據(jù)的有效 性,根據(jù)所得數(shù)據(jù)繪制成箱線圖,若有異常值,會(huì)在 圖中顯示其符號(hào),進(jìn)而除掉無(wú)效的數(shù)值。由球—球 電極模擬的非均勻場(chǎng)中具有130%Al(OH)3相對(duì)含量 的樣品的DC擊穿強(qiáng)度箱線圖的實(shí)例,見(jiàn)圖2、3。



由箱線圖可以看出,用于分析測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)沒(méi)有 異常值,所采集的數(shù)據(jù)是有效數(shù)據(jù)。取有效數(shù)據(jù)的平均值,繪制了直流擊穿強(qiáng)度—溫度曲線,折線圖見(jiàn)圖4-7。



從試驗(yàn)結(jié)果可以看出,隨著溫度的降低,硅橡 膠絕緣材料的直流擊穿電壓變化明顯,呈現(xiàn)出先升 高后趨于穩(wěn)定的變化趨勢(shì)。在 0、-20 ℃條件下,直 流擊穿強(qiáng)度增加的幅度較大,-40、-60 ℃條件下,增 加的幅度變小。較于常溫情況,持續(xù)低溫處理后硅 橡膠試樣的直流擊穿電壓有明顯的提高,在棒-板 電極模擬的不均勻場(chǎng)下,Al(OH)3相對(duì)含量為 130% 的試樣在 0 ℃情況下較常溫最大升高了 15.64 kV, Al(OH)3相對(duì)含量為 110%的試樣在-60 ℃情況下較 常溫最大升高了40.18 kV。


在同一溫度條件、相同電極模擬的不均勻場(chǎng) 下,Al(OH)3相對(duì)含量為 130%的試樣直流擊穿電壓 值最大,相對(duì)含量為 110%次之,相對(duì)含量為 90%最 小,Al(OH)3相對(duì)含量為 130%的硅橡膠試樣曲線變 化更平緩,直流擊穿特性相對(duì)穩(wěn)定。


硅橡膠絕緣材料的交聯(lián)程度會(huì)對(duì)電離過(guò)程產(chǎn) 生影響進(jìn)而直接影響其直流擊穿特性。而隨著溫 度的降低,硅橡膠絕緣材料的結(jié)晶度增加,在結(jié)晶 區(qū),小分子鏈段交聯(lián)成大分子鏈段,大分子鏈抑制 了自由電子的運(yùn)動(dòng),晶區(qū)分子鏈之間相互吸引又約 束了非結(jié)晶區(qū)無(wú)序部分分子鏈段之間的運(yùn)動(dòng),從而 造成自由體積減少,這就削弱了電子崩的進(jìn)程。在 宏觀上表現(xiàn)為試樣直流擊穿電壓在試驗(yàn)溫度范圍 內(nèi)隨著溫度降低而升高。


在持續(xù)低溫處理下,硅橡膠材料的直流擊穿電 壓所表現(xiàn)出的變化趨勢(shì)也與分子間的致密性有關(guān), 即與甲基乙烯基生膠分子相對(duì)于氫氧化鋁分子的 致密度有關(guān)系[12-14]。隨著溫度的降低,伴隨著結(jié)晶 度的增加,氫氧化鋁分子在材料中的分布也會(huì)由材 料表面到材料內(nèi)部逐漸致密。硅橡膠材料分子的 末端游離效應(yīng)對(duì)Al(OH)3進(jìn)行包裹,使更多的氫氧化 鋁分子擠進(jìn)甲基乙烯基生膠分子各個(gè)基團(tuán)間隙,降 低了硅橡膠材料的透氣性,使整個(gè)材料體積內(nèi)部更 為致密[15-19],表現(xiàn)出明顯的直流擊穿特性變化,因而 試驗(yàn)測(cè)定的直流擊穿電壓均值有變大的趨勢(shì),并且 升高幅度相對(duì)較大。當(dāng)這種致密度的變化達(dá)到飽和時(shí),硅橡膠材料的直流擊穿特性變化程度也會(huì)相應(yīng)減弱,宏觀表現(xiàn)出直流擊穿電壓值的升高幅度較小。


為了進(jìn)一步驗(yàn)證試驗(yàn)結(jié)果,測(cè)量得到了試驗(yàn)溫 度范圍內(nèi)試樣的體積電阻率,結(jié)果見(jiàn)圖 8。由于數(shù) 量級(jí)很大(1016Ω/cm),體積電阻率增加會(huì)對(duì)硅橡膠材 料的直流擊穿電壓升高有很大影響。由于結(jié)晶度 增加以及分子致密性增強(qiáng)會(huì)使體積電阻率增加,二 者在硅橡膠絕緣材料的直流擊穿電壓升高過(guò)程中 有著主要的影響。



此外,填料的組成和含量也會(huì)影響硅橡膠材料 的直流擊穿特性,有關(guān)研究指出,氫氧化鋁相對(duì)填 充量為 125份左右時(shí),硅橡膠電氣性能最佳,這也與 本次試驗(yàn)結(jié)果相一致。


在施加較高的直流電壓時(shí),電極會(huì)發(fā)射電子到 電介質(zhì)中,為電子崩過(guò)程提供有效電子。在外電場(chǎng)作用下,電子逸出電極需要克服一定的勢(shì)壘, 也就是說(shuō)需要一定的能量。在低溫環(huán)境下,電極的 電子發(fā)射主要受到所施加的電壓及金屬逸出功的影晌。隨著溫度的降低,電子逸出電極表面需要較 高的能量,即需要較高的電場(chǎng)強(qiáng)度作用,因此硅橡膠絕緣材料的直流擊穿電壓升高。


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